突破國外技術壁壘 新型相變存儲器獲重大突破 —— 文章正文2017-11-14
近日，西安交通大學材料學院與中國科學院上海微系統(tǒng)所在新型相變存儲材料方面取得重大突破?？茖W家利用材料計算與設計的手段篩選出新型相變材料鈧銻碲合金，該材料利用結構適配且更加穩(wěn)定的鈧碲化學鍵來加速晶核的孕育過程，顯著降低形核過程的隨機性，大幅加快結晶化即寫入操作速度。與業(yè)內性能最好的相變器件相比，鈧銻碲器件的操作速度提升超過10多倍，達到了0.7納秒的高速可逆操作，并且降低操作功耗近10倍。相關科研成果發(fā)表于美國Science雜志。
點評：相變存儲器具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術的最佳解決方案之一。新式鈧銻碲(SST)相變存儲器的重大突破解決了寫入速度瓶頸問題，在高密度、高速存儲器上的應用驗證對于我國突破國外技術壁壘、開發(fā)自主知識產(chǎn)權的存儲器芯片具有重要價值。南大光電生產(chǎn)的MO源、二叔丁基碲，是制造相變存儲器的核心原材料。
(責任編輯： 來源： 時間：2017-11-14)
Keywords（關鍵詞）： 長距離皮帶托輥傳輸機
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